耐環境強化素子（読み）たいかんきょうきょうかそし

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

耐環境強化素子
たいかんきょうきょうかそし

放射線，熱，機械的振動，衝撃などの厳しい環境下においても安定に動作し，高度の情報処理その他が可能な機器や装置の使用に耐えうる素子。γ線，電子線，X線，中性子などの放射線が集積回路や単体半導体素子に照射されると，漏れ電流の発生や回路動作点が変化し，正常動作が損なわれる。放射線耐性を持たせるために絶縁膜上に素子を形成したり，半導体材料に GaAs (ガリウムヒ素) を用いたりする。耐熱素子として，300℃以上でも動作可能な半導体である SiC (炭化ケイ素) を用いた素子が開発されている。振動，衝撃に対しては，それぞれ 40G，3000G以上に耐えられるようリード線取付法などに工夫がある。これらの素子は，宇宙空間や原子炉，消火用ロボットなどの次世代の素子として開発が進められている。

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