原子層成長（読み）ゲンシソウセイチョウ

化学辞典 第2版

原子層成長
ゲンシソウセイチョウ
atomic layer epitaxy

結晶成長を原子のレベルで制御して，1層ずつ成長させる方法のこと．周期表12～16族半導体であるZnSの成長方法として開発されたが，現在では半導体のみでなく絶縁体にまで応用されている．はじめに実現された方法は，蒸気圧の高い2種類の原料が基板表面で化合物になると蒸気圧が下がり，蒸気圧差により吸着が進まなくなることを利用した．清浄なS表面にZnを照射するとS表面をすべて覆うまで吸着し，表面はZnSで被覆される．Zn単体の蒸気圧が高いので，1原子層以上のZnが吸着しても脱離して過剰なZnの吸着は進まない．次にZnを排気後，S₂ を照射すればZnが1原子層吸着する．また，自己停止(セルフリミット)機能と自己停止解除の機構を用いた方法も考案され，ZnCl₂とH₂Sの組合せによるZnS，トリメチルガリウム(CH₃)₃GaとアルシンAsH₃の組合せによるGaAsや，SiH₂Cl₂と原子状のHの組合せによるSiの原子層成長などがある．

出典　森北出版「化学辞典（第2版）」