化学辞典 第2版 の解説
MOS(モス)トランジスター
モストランジスター
metal-oxide-semiconductor transistor
電界効果トランジスターの一種で，図に代表的な構造を示す．
抵抗率の高いp型シリコンの表面を高温で酸化すると，表面にSiO2の絶縁層ができると同時に，その直下に O2 が拡散してn型層が形成される．SiO2の表面に真空蒸着法などで金属をつけてゲート電極とする．電流を流し込むソース電極と，取り出すドレイン電極になる部分にリンなどを拡散して n＋ 領域を形成してその上に金属電極をつける．ゲートに正電圧を印加すると，ゲート電極直下のn領域の伝導チャンネル部分に電子が引張り込まれて，チャンネル部分の抵抗が減少し，ソース-ドレイン間の電流は増加する(enchancement mode)．逆にゲート電圧を負にすると，チャンネル部分の電子が押し下げられて電子が減少して，ソース-ドレイン間の電流は減少する(depletion mode)．また，チャンネル部分はp型でもよく，この場合には，enchancement modeのみになる．ゲート部の構造からMOSトランジスターとよばれている．しかし，絶縁層は必ずしもoxideではなく窒化シリコンなども用いられるので，この場合oxideのかわりにinsulator(絶縁体)のIをとってMISトランジスターというほうが一般的である．MOSトランジスターは，接合型トランジスターと比べて入力インピーダンスが高くて使いやすいので，現在，集積回路に多く使われている．
出典 森北出版「化学辞典（第2版）」化学辞典 第2版について 情報