略称CVD法.気相成長法のうち,混合気体原料をキャリヤーとともに流し,反応によって基板上に単結晶を析出させる方法で,一種の気相エピタキシー成長法である.この方法によるシリコン単結晶層の成長が,ブレーナー型トランジスターやICなどの技術を可能にした.最近では,この方法によるGaAsなどの化合物半導体,さらにはフェライトなどの磁性体の単結晶層成長も行われている.
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
血液中の脂質(トリグリセリド、コレステロールなど)濃度が基準値の範囲内にない状態(脂質異常症)に対し用いられる薬剤。スタチン(HMG-CoA還元酵素阻害薬)、PCSK9阻害薬、MTP阻害薬、レジン(陰...
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